igbt電動汽車測試

1. IGBT動態測試是不是都是雙脈沖測試法啊單脈沖的有無雙脈沖有何優勢啊

IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程後期， PNP 晶體管由放大區至飽和，又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時，必須基於以下的參數來進行：器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動技術進行觸發，不過由於IGBT的輸入電容較MOSFET為大，故IGBT的關斷偏壓應該比許多MOSFET驅動電路提供的偏壓更高。 IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。因為MOSFET關斷後，PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間，td(off)為關斷延遲時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏極電流的關斷時間 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)與trv之和又稱為存儲時間。 IGBT的開關速度低於MOSFET，但明顯高於GTR。IGBT在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間，但關斷時間隨柵極和發射極並聯電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3～4V，和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限，遠遠不能滿足電力電子應用技術發展的需求；高壓領域的許多應用中，要求器件的電壓等級達到10KV以上，目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司採用軟穿通原則研製出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠性、低成本技術，主要採用1um以下製作工藝，研製開發取得一些新進展。

2. 國內哪個公司有測試IGBT動態參數的專業設備儀器

IGBT在國內的應用是越來越廣泛了，電動車行業、新能源汽車行業、充電樁行業等，都會用到IGBT。目前深圳威宇佳的IGBT動態參數設備測試設備已經很成熟了，他們公司開發的IGBT動態測試設備（1500V/2000A)為國內首創，打破國外壟斷，已在市場上應用超過10年，並已在國內多家大型IGBT功率半導體模塊廠家批量應用。

3. 懂IGBT測試的大哥教教小弟

可能是門集電壓或開關頻率使用得不恰當吧，一般不會很多壞的。
可以用買個TI公司的介面盒裝在電腦，然後用labview做模擬測試

4. 大功率IGBT測試儀國產的有哪些哪那個廠家可以做8000V的IGBT模塊的開關特性測試，短路測試，反向恢復

IGBT在國內來說，開始越來越多的應用，在電網，電動車，新能源汽車，家電行業，充電樁等行業應用越來越廣泛，目前IGBT測試儀，國內HUSTEC，華科智源等，很成熟了。電動車目前用的可能到3300V,1000A左右了，對於IGBT模塊，幾單元封裝的，都沒有問題，當然，主迴路電感和雜散電感隨著功率增加，會有相應的增大，如果涉及到1200V,200A左右的，可能能 做到65ns一下。IGBT動態參數儀，一般能測量開關時間，反向恢復時間，短路特性，柵電荷，這些參數。對於雪崩能量，一般需要一台單獨設備進行測試。 IGBT在國內來說，開始越來越多的應用，在電網，電動車，新能源汽車，家電行業，充電樁等行業應用越來越廣泛，目前IGBT測試儀，國內HUSTEC，華科智源等，很成熟了。電動車目前用的可能到3300V,1000A左右了，對於IGBT模塊，幾單元封裝的，都沒有問題，當然，主迴路電感和雜散電感隨著功率增加，會有相應的增大，如果涉及到1200V,200A左右的，可能能 做到65ns一下。IGBT動態參數儀，一般能測量開關時間，反向恢復時間，短路特性，柵電荷，這些參數。對於雪崩能量，一般需要一台單獨設備進行測試。

5. 如何檢測IGBT的好壞

IGBT管好壞的檢測

IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rx1k擋來檢測，或用數字萬用表的「」擋來測量PN結正向壓降進行判斷。檢測前先將IGBT管三隻引腳短路放電，避免影響檢測的准確度；然後用指針萬用表的兩枝表筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻，對於正常的IGBT管，上述所測值均為無窮大；最後用指針萬用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測值在3.5kΩ左右，則所測管為含阻尼二極體的IGBT管，若所測值在50kΩ左右，則所測IGBT管內不含阻尼二極體。對於數字萬用表，正常情況下，IGBT管的e、c極間正向壓降約為0.5V。

綜上所述,內含阻尼二極體的IGBT管檢測示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測的讀數均為無窮大。

如果測得IGBT管三個引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞；若測得IGBT管三個引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實際維修中IGBT管多為擊穿損壞。

提示：正常的IGBT管，G、e兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無窮大；內含阻尼二極體的IGBT管正常時，e、c極間均有4kΩ正向電阻。

IGBT管放大能力的初略判斷

在檢測IGBT管的放大能力之前，應先將IGBT管三個引腳短路放電；然後將指針萬用表置於Rx1k擋，用紅表筆接IGBT管e極，黑表筆接管子c極，此時萬用表指針不偏轉，即阻值為無窮大；接著用黑表筆碰觸一下G極後，再將黑表筆接管子c極，測c、e極間電阻，這時萬用表指針偏轉，即c、e極問電阻值由無窮大減小到某一值。上述現象說明IGBT管具有一定的放大能力，所測得的阻值越小，IGBT竹的放大能力越強。

提示：由於IGBT管G極內部電路具有電容特性，能夠儲存一定量的電荷，因此每次檢測IGBT管時，都應先短路三極，以防引起誤判。

值得注意的是，部分IGBT管，如K25T120、GT40T101等，按上述方法用指針萬用表Rx1k擋所測阻值均為無窮大，因此不能判斷管子的放大能力。這時換用Rx10k擋檢測判斷即可。例如K25T120型IGBT管，使用MF500型萬用表R×10k擋，紅表筆接e極，黑表筆接c極時，阻值為無窮大；若這時用手指同時接觸一下黑表筆與G極，阻值立即降至110kΩ；若用黑表筆觸一下G極，再次測得c、e極間正向電阻已降為16kΩ左右。

綜上所述，IGBT管放大能力的初略判斷方法類似於三極體放大倍數的判斷，其判斷示意圖如圖所示。

另外通過上述方法可以快速判斷出特殊外形的IGBT管的c、e極，剩下一腳便為G極。

6. 請問IGBT模塊好壞檢測的方法

檢測IGBT模塊的好壞的方法：

1、判斷極性首先將萬用表撥在 R×1K 。擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（ G ）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。

在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C ) ：黑表筆接的為發射極（ E ）。

2 、判斷好壞將萬用表撥在 R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極（ C ) ，紅表筆接 IGBT 的發射極 ( E ) ，此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（ G ）和集電極（ C ) ，這時工 GBT 被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站們指示在某一位置。

然後再用手指同時觸及一下柵極（ G ）和發射極（ E ) ，這時 IGBT 被阻斷，萬用表的指針 回零。此時即可判斷 IGBT 是好的。

3 、注意事項任何指針式萬用表鈴可用於檢測 IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在 R×IOK擋，因 R×IKQ 檔以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護檢測功率場效應晶體管 ( P 一 MOSFET ）的好壞。

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IGBT模塊注意事項

由於IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由於此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：

1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電後，再觸摸;

2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;

3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振盪電壓。為此，通常採用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振盪電壓。

此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由於集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發熱及至損壞。

在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間塗抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。

保存注意事項：

1. 一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～35℃ ，常濕的規定在45～75%左右。在冬天特別乾燥的地區，需用加濕機加濕。

2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。

3. 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方。

4. 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物。

5. 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。

7. 威宇佳IGBT全動態參數測試設備可測量哪些參數

威宇佳是國內首家電動汽車用IGBT動態測試設備製造商，他們的IGBT全動態參數測試設備，可測試IGBT、SiC等開通、關斷、短路、柵極電荷以及二極體反向恢復各項動態參數。他們的測試夾具採用壓接方式，連接電感小，即插即用，更換夾具便捷，可兼容多種封裝的模塊及DBC。基於多年的電力電子裝置和功率半導體開發及應用經驗，威宇佳的測試夾具具備業內更低的雜散電感，並且更換夾具速度極快，僅需不到20s。

8. IGBT測試儀器有哪些

軌道交交通目前用的可能到3300V,1000A左右了，新能源汽車 1700V,800A,對於IGBT模塊，幾單元封裝的，都沒有問題。IGBT測試儀，國內HUSTEC，華科智源等，特別是大功率IGBT模塊來講，很成熟了。甚至可以實現在線檢測的，不需要進行拆卸後單獨測試模塊了。

9. IGBT動態參數測試儀哪家有最高功率能到多少華科智源IGBT動態參數測試儀能測量哪些參數呢

IGBT在國內來說，開始越來越多的應用，在電網，電動車，新能源汽車，家電行業，充電樁等行業應用越來越廣泛，目前IGBT測試儀，國內HUSTEC，華科智源等，進口的有美國ITC，德國LEMSYS,都很成熟了。電動車目前用的可能到3300V,1000A左右了，對於IGBT模塊，幾單元封裝的，都沒有問題，當然，主迴路電感和雜散電感隨著功率增加，會有相應的增大，如果涉及到1200V,200A左右的，可能能 做到65ns一下。IGBT動態參數儀，一般能測量開關時間，反向恢復時間，短路特性，柵電荷，這些參數。對於雪崩能量，一般需要一台單獨設備進行測試。