电动汽车sic什么意思

① 电动汽车应用广泛 比亚迪明年或将建造碳化硅生产线

比亚迪决定建立自己的碳化硅生产线，可能是因为产能不足。比亚迪半导体产品中心芯片研发总监吴海平在9月中旬表示，随着产能的逐步攀升，以及比亚迪汉的预购量远远超出公司的预期，碳化硅供不应求。不过，从第四季度开始，该产能将满足比亚迪汉四轮驱动版的销售需求。

② 比亚迪“汉”公布加速性能，百公里加速3.9秒

近日，比亚迪宣布王朝系列新车比亚迪“汉”将首次应用“高性能碳化硅MOSFET电机控制模块”，使亚迪汉EV的0-100km/h加速达到3.9秒，这个成绩也使汉成为中国百公里加速最快的轿车。

早在2018年底，比亚迪曾经对外宣布，有望在2019年底推出搭载半导体材料SiC(碳化硅)电控的电动车。预计到2023年，比亚迪旗下的电动车将全面搭载SiC电控模块，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代。

目前，碳化硅被看作是IGBT的替代品。据中国科学院院士欧阳明高介绍，碳化硅是一种更先进的用作控制器的电力电子芯片，频率和效率可以做到很高，而体积可以非常小。体积功率密度可以到每升100千瓦，相同功率之下，占用的体积比IGBT减少大概70%-80%。

目前在全球范围内，特斯拉model3是首款实现量产的应用碳化硅的纯电动车型，比亚迪汉则是第二款。

欧阳明高预计，碳化硅在2025年会全方位取代IGBT。

IGBT电机控制器的核心器件，直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率，成本占到新能源整车成本的7％左右，占到充电桩成本的20％。此前，我国车用IGBT大多依赖进口，市场主要被英飞凌垄断。

目前，比亚迪是中国唯一一家实现自主研发IGBT的车企。从2010年开始，比亚迪自主研发IGBT产品开始批量供货新能源汽车F3DM。2018年，比亚迪的IGBT产品开始外供。

面对特斯拉国产、大众、丰田等主流品牌的纷纷发力，此时的比亚迪需要一款杀手级的车型，来应对2020年新能源汽车市场更为激烈的竞争。

“汉”这款车型可以说是比亚迪技术实力的集中体现，与此前的产品相比，做了由内而外的全方位提升。

技术方面，汉是首款搭载比亚迪“刀片电池”和碳化硅电控的车型，使其在续航里程和动力性能方面实现新的突破。

汉EV将分为长短续航两个车型，长续航版本搭载峰值功率163kW的驱动电机，并且搭载了比亚迪全新的“刀片电池”，该磷酸铁锂电池组的能量密度达140Wh/kg，最高NEDC续航里程为605km。短续航里程版本则搭载峰值功率163kW和200kW的前后驱动电机，最高NEDC综合续航为550km。

比亚迪汉EV采用前后双电机全时四轮驱动形式，前后电机总功率达到363kW。

此外，比亚迪汉的长宽高分别为4950/1890/1490mm，轴距为2940mm，达到了中级车的水准，填补了比亚迪产品组合中大中型轿车的空白。

风阻系数方面，汉的风阻系数为0.233Cd，而特斯拉ModelS风阻系数为0.24。

预计新车将于今年6月份上市。

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③ ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiCMOSFET*1）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（.,Ltd.，总部位于中国上海市，以下简称“UAES公司”）的电动汽车车载充电器（OnBoardCharger，以下简称“OBC”）。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。

＜术语解说＞

*1)MOSFET（Metal－Oxide－的缩写）

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。

*2)IGBT（，绝缘栅双极晶体管）

同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管。

*3）传导损耗、开关损耗

因元器件结构的缘故，MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗。传导损耗是电流流过元器件时（ON状态时），受元器件的电阻分量影响而产生的损耗。开关损耗是切换元器件的通电状态时（开关动作时）产生的损耗。

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④ SiC半导体技术，什么是SiC半导体技术

SiC的产业应用
采用SiC材料研制的元件种类很多，以下介绍其应用之概况。
（1）高温和高功率半导体元件
SiC材料的能带和高温稳定性使得它在高温半导体元件方面有无可比拟的优势。采用SiC材料制成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作温度可达500℃以上，提供工作于极端环境下的电子系统，在军用武器系统、航空航太、石油地质勘探等领域应用广泛。
（2）微波及高频半导体元件
由于碳化硅具有较高的饱和电子速度以及高临界击穿场强，是良好的微波和高频元件材料。已制成fmax达42GHz以上的SiC MESFET。加之高工作温度和高热导率，在军用相控阵雷达、通信广播系统中有明显的优势。美国已将其应用于新研制的 HDTV数位广播系统之中。
（3）短波长发光元件
6H-SiC和3C-SiC的能隙宽度为2．9eV和2．2eV，分别处于蓝、绿光等短波长发光波段，其中高亮度蓝光LED尤其重要，是实现全彩色大面积显示的关健，具有极大的市场，已实现了碳化硅蓝、绿光LED的批量生产。
（4）紫外光敏二极体
美国GE公司采用碳化硅材料实现了可在各种发动机内部工作的紫外光敏二极体，用于监测汽车、飞机、火箭等发动机的燃烧工作状态，并与碳化硅高温积体电路一起构成闭环控制，显着提高发动机工作效率，节约能源，减少污染 。
（5）蓝色镭射二极体
利用碳化硅的结构特性，已研制出了可发蓝光的镭射二极体，它将极大提高高密度资料存储的技术水准、并在未来生物化学战场的探测方面发挥不可缺少的作用。
碳化硅的应用领域广泛，如果碳化硅元件普及，电力转换类器件将会发生巨大变化。 包含了上述提及的混合动力等电动汽车、空调等白色家电，而且还涉及太阳能发电、风力发电、燃料电池等分散电源系统、产业设备以及通用变频器装置和通用开关电源等

⑤ 碳化硅SiC器件目前主要有些品牌在做

很多行业都有再用碳化硅呀

1.太阳能逆变器

太阳能发电用二极管的基本材料，碳化硅二极管的各项技术指标均优于普通双极二极管(silicon
bipolar)技术。碳化硅二极管导通与关断状态的转换速度非常快，而且没有普通双极二极管技术开关时的反向恢复电流。在消除反向恢复电流效应后，碳化硅二极管的能耗降低70%，能够在宽温度范围内保持高能效，并提高设计人员优化系统工作频率的灵活性。

2.新能源汽车充电器

碳化硅二极管通过汽车级产品测试，极性接反击穿电压提高到650V，能够满足设计人员和汽车厂商希望降低电压补偿系数
的要求，以确保车载充电半导体元器件的标称电压与瞬间峰压 ，之间有充足的安全裕度 。二极管的双管产品 ，可最大限度提升空间利用率，降低车载充电器的重量。

3.开关电源优势

碳化硅的使用可以极快的切换，高频率操作，零恢复和温度无关的行为，再加我们的低电感RP包，这些二极管可以用在任向数量的快速开关二极管电路或高频转换器应用。

4.工业优势

碳化硅二极管：重型电机、工业设备主要是用在高频电源的转换器上，可以带来高效率、大功率、高频率的优势。

⑥ Sic电驱动系统能给新能源汽车市场带来哪些变化呢

随着电气化时代的到来，汽车界也掀起了一场极大的变革。而随着新能源车型技术成熟度越来越高，轻量化，小型化，高效化也成为了电力驱动系统最主要的研究和发展方向。而SiC芯片的出现也引发了广泛的关注，国内外厂商纷纷开始抢先布局和研发。那么这种SiC芯片究竟有何神奇之处，又能给新能源汽车市场带来怎样的变化呢？

首先，SiC是一种复合半导体材料，主要用于电子领域，可以实现电力的转换和控制作用。并且由于SiC能够承受更大的击穿场强并且导热系数更高，所以也被广泛的应用在高压电子领域，例如电源，逆变器等。而如果将这种材料巧妙的应用在电动汽车充电装置当中，就能够生产出强度更高，更耐高压的电驱系统了。

综上来看，SiC芯片在电动汽车领域还是有着很大发展潜力的，如果供应商能够降低生产成本，那么SiC功率半导体将会引发又一轮新能源汽车革命。

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（运营人员：博洋）

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⑦ Hold住！2020还有这些新能源纯电动汽车值得等（自主篇）

得益于中国政府的有力防控，新冠疫情将很快在国内得以控制。而在疫情期间相信也有更多的消费者认识到拥有一辆私家车的重要性，届时必将迎来一波儿购车热潮，那些新能源持标待购和此前保持观望的用户，终将会遇到适合自己的那款车型。

电机参数上，四驱高性能版搭载双电机可输出316kW的最大功率，百公里加速时间4.3s；后驱长续航和超长续航版最大功率196kw，百公里加速时间6.7s。

编辑总结：在政策和补贴的影响力越来越小的情况下，国内新能源市场已经开始正式刺刀见红的厮杀，谁更有实力，销量见分晓。

所以我们也看到越来越多具有十足产品力的车型进入市场，它们不仅在设计上各出奇招，同时在配置层面也照顾的极为全面，舒适、智能、科技一个不落。当然在最为核心的三电和续航上面，2020年主流新车也全部进入500+甚至600km以上的水准，续航焦虑这个词几近彻底消失。

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⑧ 碳化硅外延晶片概念是什么适用于什么领域、行业

碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片。

碳化硅外延晶片使用领域、行业：外延晶片主要用于各种分立器件的制作，比如SBD、MOSFET、JFET、BJT、SIT和MESFET等，这些器件广泛应用于各个领域，如白色家电、混合及纯电动汽车、太阳能和风能发电、UPS、马达控制、轨道机车、轮船和智能电网等。

碳化硅外延晶片属于半导体行业。

(8)电动汽车sic什么意思扩展阅读：

2012年，中国国内首批产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天泰成电子科技（厦门）有限公司投产。

2013年，瀚天泰成计划试生产6英寸规格的碳化硅外延品片；到2016年，将实现年产碳化硅外延晶片2万片，产值有望达到4．2亿元。

2015年，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。截至2014年3月，天科合达形成了一条年产7万片碳化硅晶片的生产线。

⑨ 高端电动车“必经之路”解读800V高压系统普及进度

现在的问题主要有两个：

1）SiC可靠供应问题：这个活不是那么容易做的，特别是在高性能汽车里面，怎么弄都是很恶劣的工况，前段时间某企业用SiC在车载充电机里面，弄不好可能用一年就会批量出问题，这不是开玩笑的事情。

2）SiC的价格问题：虽然大家都做高端跑点量没问题，但是架不住现在的趋势大家都要去抢高端抢供应，从价格预测来看是产能供给上去了，有很大的降价空间，但是需求也是爆发式的。

小结：我觉得现在BEV应用最后落到实处，就是电池和功率模块两个核心供应瓶颈点，在这个链条再往上都涉及到材料，趋势是这样的，怎么保证资源和技术的获取又是个故事了。

图｜网络及相关截图

作者简介：朱玉龙，资深电动汽车三电系统和汽车电子工程师，著有《汽车电子硬件设计》。

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