英飛凌電動汽車igbt

⑴ 富士、英飛凌IGBT哪個好

英飛凌IGBT命名規則 一 Simens/EUPEC IGBT 命名系統: Simens/EUPEC IGBT 各型號中所指電流都是在Tc=80°C時的標稱，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的標稱，敬請廣大用戶注意！ BSM100GB120DN2K BSM--------------帶反並聯續流二極體(F.W.D)的IGBT模塊

⑵ 英飛凌 igbt c e g分別指哪裡

C是集電極，E是發射極，G是門極

http://wenku..com/link?url=Sz43OBi-16Ftog2L2torbePcNhfRBxUAQhB9--eD3a7Wh5SBf7waG2TuS

看一下這篇文章就全知道了

⑶ 英飛凌IGBT可以這樣替換嗎

不建議您換,要換的話 需要改的參數很多 都知道KS4系列的IGBT飽和壓降(Vce)要3V多 KT4系列的1.5V左右,望採納

⑷ 英飛凌IGBT模塊選型

內部控制

⑸ 英飛凌哪一款IGBT驅動可以驅動英飛凌的600V/150A的IGBT模塊

關於IGBT驅動，您可以用英飛凌的2ED300C17，不過這款驅動有兩個缺點，一是沒有做到即插即用的程度，二是相對來說這款驅動用來驅動您的600V/150A的IGBT模塊有點大馬拉小車的感覺。您也可以用落木源電子(LMY Electronics)的KA系列驅動器如KA101、KA201、KA301、K841L都可以，價格也比較合適。另外也可以用D系列驅動板，如DA962Dx系列，即插即用，價格也比較便宜，也就是同類產品的1/3到1/2。

補充回答：2ED300C17-S的輸出電流30A不是可驅動的IGBT的電流參數，IGBT等效為一個電容，輸出電流是給這個等效電容充電的最大電流。30A的輸出電流，一般可以驅動至少1200A以上的IGBT。

⑹ 英飛凌IGBT晶元有哪些型號規格參數

英飛凌IGBT命名規則
一 Simens/EUPEC IGBT 命名系統:

Simens/EUPEC IGBT 各型號中所指電流都是在Tc=80°C時的標稱，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的標稱，敬請廣大用戶注意！
BSM100GB120DN2K
BSM--------------帶反並聯續流二極體(F.W.D)的IGBT模塊
BYM--------------二極體模塊
100-----------Tc=80°C時的額定電流
GA-------- 一單元模塊
GB----------兩單元模塊(半橋模塊)
GD----------六單元模塊
GT----------三單元模塊
GP----------七單元模塊(功率集成模塊)
GAL----------斬波模塊(斬波二極體靠近集電極)
GAR----------斬波模塊(斬波二極體靠近發射極)
120-------額定電壓×10
DL------低飽和壓降
DN2----高頻型
DLC----帶(EmCon)二極體的低飽和壓降
BSM系列是原西門子IGBT模塊的命名系統。西門子IGBT模塊歸入EUPEC後，EUPEC標准系列IGBT模塊仍沿用西門子型號編制系統。但EUPEC原側重生產大功率或高壓IGBT模塊，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模塊有其自身的命名系統,EUPEC以FF、FZ、FS、FP來命名。凡是EUPEC成為Infineon（英飛凌）100％子公司後，所有IGBT模塊均按EUPEC IGBT命名系統來命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一單元模塊
FF--------------兩單元模塊(半橋模塊)
FP--------------七單元模塊(功率集成模塊)
FD/DF------------斬波模塊
F4---------------四單元模塊
FS---------------六單元模塊
DD---------------二極體模塊
400-------------Tc=80°C時的額定電流
R------------逆導型
S-------------快速二極體
12-----------額定電壓×100
KF---------高頻型(主要在大模塊上使用)
KL--------低飽和壓降(主要在大模塊上使用)
KS--------短拖尾高頻型
KE--------低飽和壓降
KT--------低飽和壓降高頻型

二 Simens/EUPEC SCR 命名系統:

T 930 N 18 T M C
T----------------------晶閘管
D----------------------二極體
930-----------------平均電流
0-----------------標准陶瓷圓盤封裝
1-----------------大功率圓盤
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光觸發型
N-----------------相控器件
F---------------居中門極型快速晶閘管
S---------------門極分布式快速晶閘管 二極體
18 ----------耐壓×100
B--------引線型
C-----------------焊針型
E-----------------平板式
T-----------------圓盤式
M -------------關斷時間(A、B、C、D等表示關斷時間)
C ----關斷電壓斜率（B、C、F等）
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------雙晶閘管結構
DD----------------------雙二極體結構
TD/DT------------------- 一個二極體＆一個晶閘管
430-------------------平均電流
N------------------相控器件
F-------------------居中門極型快速晶閘管
S-------------------陰極交錯式快速晶閘管
22--------------耐壓×100
K-----------模塊
O---------關斷時間
F -----斷電壓斜率

⑺ 比亞迪的IGBT真的很牛

就像華為的海思晶元，近兩年，汽車行業內的IGBT逐漸為人所熟知。
新能源汽車的成本構成中，最大頭當然是動力電池，第二高的就是IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）。作為與動力電池電芯齊名的「雙芯」之一，占整車成本約5%左右的IGBT，正在變得越來越重要。
IGBT能有多重要？就在於，它能直接控制驅動系統直、交流電的轉換，決定電動車扭矩和最大輸出功率等核心指標，可謂「牽一發而動全身」。
所以，近日總投資10億元的比亞迪IGBT項目在長沙正式動工，無疑就非常令人矚目。據悉，該項目設計年產25萬片8英寸晶圓的生產線，投產後可滿足年裝50萬輛新能源汽車的產能需求。
如今，比亞迪IGBT晶元晶圓的產能已經達到5萬片/月，預計2021年可達到10萬片/月，一年可供應120萬輛新能源車，也就是相當於2019年新能源汽車銷量的總數。
不過，我們關心的是，對於比亞迪來說，其IGBT技術達到了什麼程度？在整個IGBT格局中，比亞迪處於一個什麼位置？
打破壟斷
作為一種功率半導體，IGBT應用非常廣泛，小到家電、大到飛機、艦船、交通、電網等戰略性產業。此外，IGBT還是國家「02專項」的重點扶持項目，已經全面取代了傳統的Power MOSFET，被稱為電力電子行業里的「CPU」。
在新能源領域，IGBT的應用也非常重要。比如，在電動汽車的「三電」方面，TESLA的Model S使用的三相非同步驅動電機，其中每一相的驅動控制需要使用28顆塑封的IGBT晶元，三相共需要使用84顆IGBT晶元。算算總量，就可知需求的龐大。此外，充電樁的核心部件也要用到IGBT晶元。
但是，長期以來，被壟斷在少數IDM（Integrated device manufacturer）手上，比如英飛凌Infineon、富士電機、三菱等外資企業。
數據顯示，2019年期間，英飛凌為國內電動乘用車市場供應62.8萬套IGBT模塊，市佔率達到58%。而比亞迪供應了19.4萬套，市佔率達到18%。可以說，如果沒有比亞迪，中國車規級IGBT晶元市場國內企業一直被「卡脖子」的局面無法緩解。這是實情。
比亞迪打破國際巨頭的壟斷，是值得高興的事。不過，值得注意的是，如果按照之前2019年比亞迪IGBT自供比率約在70%(或以上)的預測，也就是接近15萬套來算，對外供應的量也就是4萬多套，比亞迪還是相當保守的。
所以，4月14日比亞迪宣布通過整合公司半導體業務、成立獨立的「比亞迪半導體有限公司」，就是想使IGBT業務量擴大，提升其商業前景。根據中金公司的預計，比亞迪半導體拆分上市後市值可達300億元，無疑也只有外供IGBT才能帶來如此效益。
按照2018年的相關統計，在一輛純電動汽車中，IGBT約占驅動電機系統成本的一半，而驅動電機系統占整車成本的15~20%，也就是說IGBT占整車成本的7~10%。而據中信證券報告顯示，IGBT目前在插電混動車型上約佔2500~3500元成本，A級以上純電動車IGBT單車成本在2000~4000元，豪華車相對高一點，在5000元以上。
而且，中信證券認為，全球電動車高增長（尤其是A級以上車型）將帶動IGBT需求放量，2020年行業空間約97億元，預計2025年有望達到370億元，年復合增長率超過30%。所以說，如果比亞迪IGBT銷量擴大，收益當然可觀。
據悉，比亞迪下一步的規劃是讓IGBT的外供比例爭取超過50%。而之前比亞迪的孤單，顯示出關鍵零部件領域自主品牌的技術弱勢,現在局面有所緩解。不過，如果我們從國際IGBT技術發展趨勢來看，比亞迪還得加快步伐。
競爭的格局
之前，比亞迪已經在秦、唐等多個車型中採用自主研發的IGBT，但直到2018年9月，才第一次對外宣布。從專利數量來說，截至2018年11月，比亞迪在該領域累計申請IGBT相關專利175件，其中授權專利114件。
截至目前，比亞迪車用IGBT裝車量已累計超過60萬只。如果我們光看比亞迪的報道，自豪感會油然而生。但是，放眼望去，比亞迪面對的都是強手。
從IGBT的應用電壓來看，汽車主要是600V到1200V之間，這個區間里英飛凌Infineon具有壓倒性優勢，安森美雖然在600V-1200V領域也有市場，但主要是非車載領域。而三菱和富士電機瓜分了日本市場，豐田混動所用的IGBT全部內部完成，有自己完整的IGBT生產供應鏈。
江山代有才人出，除了這幾家巨頭，根據IHS Markit的最新報告，一家2018年度IGBT模塊全球市場份額佔有率排名第8位、唯一進入世界排名TOP10的中國企業——斯達半導（603290），也已成為比亞迪的勁敵。
根據上市剛剛兩個月的斯達半導的年報，其去年生產的車規級 IGBT 模塊已經配套了超過 20 家車企，合計配套超過16萬輛新能源汽車（而根據NE時代的統計，2019年斯達供應了17,129套IGBT模塊，市佔率1.6%。）如果加上在工業控制及電源行業、變頻白色家電及其他行業的應用，斯達半導的IGBT營收已經超過了比亞迪半導體。
不僅如此，就IGBT技術實力來看，比亞迪發展到了IGBT 4.0（相當於國際第五代），而斯達半導已經發展到了第六代，該公司基於第六代Trench Field Stop技術的650V/750V IGBT 晶元及配套的快恢復二極體晶元，已在新能源汽車行業實現應用。
從全球看，IGBT目前已經發展到7.5代，第7代由三菱電機在2012年推出，三菱電機目前的水平可以看作7.5代，而比亞迪2018年12月12日才發布IGBT 4.0技術（也就是國際上第五代技術），所以說，目前的差距還是很大的。
差距有多大？
不過，IGBT技術目前接近封頂也是公認的。當今科技日新月異，IGBT的戰場之外，下一代爭奪將在SiC（碳化硅）技術上。豐田汽車就表示過:「SiC具有與汽油發動機同等的重要性。」
其實，碳化硅（SiC）是一種廣泛使用的老牌工業材料，1893年已經開始大規模生產了。作為第三代半導體材料，發展潛力巨大。而且，SiC技術已經在日本全面普及，無論三菱這樣的大廠還是富士電機、Rohm這樣的小廠，都有能力輕松製造出SiC元件。
鑒於SiC的重要性,豐田的策略是完全自主生產。實際上，豐田從上世紀80年代就開始了SiC的研究,領先全球30年。到2014年，豐田已經能試產關鍵的SiC基板。
?
這里說句題外話，SiC基板是關鍵，而落後日本企業很多的英飛凌，2016年7月決定收購的美國CREE集團旗下電源和RF部門(「Wolfspeed」),核心就是SiC基板技術。不過，最終被美國的外國投資委員會（CFIUS）以關繫到國家安全的原因否了。
目前，比亞迪也已研發出SiC MOSFET。預計到2023年，比亞迪將採用SiC基半導體全面替代硅基半導體，這樣的話，整車性能在現有基礎上可以再提升10%。除了驅動效率提高，SiC MOSFET體積可以減少70~80%，這也是業內公認的，SiC是新能源車提高效率最有效的技術。
當然，光晶元提升還不行，整合材料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、晶元、封裝等SiC基半導體全產業鏈也要跟進，才能進一步降低SiC器件的製造成本，加快其在電動車領域的應用。
所以，從技術上來說，比亞迪要追趕的路還很長。而且相對於斯達半導的全球化業務，比亞迪IGBT的國外業務還有待展開。不過相比較而言，比亞迪在國內自主品牌中還是取得了一定的優勢，就像華為手握晶元終極武器一樣。面對汽車行業百年未有之變局，技術驅動將重新構建行業格局，無疑是沒錯的。
文/王小西
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⑻ 第1個圖片的IGBT是什麼牌子的第2個英飛凌的IGBT參數是多少兩個IGBT對比如何

DC (達新電子) 650V/50A/IGBT管 網址：http://www.daxin-semi.com 我們公司用的是安富利的(ON)

⑼ 安森美的IGBT和英飛凌的有什麼區別哪個性能更好igbt分立元件和模塊又有什麼不同

英飛凌的汽車電子目前是世界第一。在國內主要是功率器件，IGBT市場佔有率高。另外在工業方面，英飛凌也是全球第一。建議還是從所需電路的細節參數入手選擇更合適的，而不要僅從品牌選擇。

模塊的3個基本特徵：
·多個晶元以絕緣方式組裝到金屬基板上；
·空心塑殼封裝，與空氣的隔絕材料是高壓硅脂或者硅脂，以及其他可能的軟性絕緣材料；
·同一個製造商、同一技術系列的產品，IGBT模塊的技術特性與同等規格的IGBT 單管基本相同。
模塊的主要優勢有以下幾個。
·多個IGBT晶元並聯，IGBT的電流規格更大。
·多個IGBT晶元按照特定的電路形式組合，如半橋、全橋等，可以減少外部電路連接的復雜性。
·多個IGBT晶元處於同一個金屬基板上，等於是在獨立的散熱器與IGBT晶元之間增加了一塊均熱板，工作更可靠。
·一個模塊內的多個IGBT晶元經過了模塊製造商的篩選，其參數一致性比市售分立元件要好。
·模塊中多個IGBT晶元之間的連接與多個分立形式的單管進行外部連接相比，電路布局更好，引線電感更小。
·模塊的外部引線端子更適合高壓和大電流連接。同一製造商的同系列產品，模塊的最高電壓等級一般會比IGBT 單管高1-2個等級，如果單管產品的最高電壓規格為1700V，則模塊有2500V、3300V 乃至更高電壓規格的產品。
IGBT的核心技術是單管而不是模塊，模塊其實更像組裝品一管芯的組合與組裝。換言之，IGBT 單管才是IGBT 製造商的核心技術。
IGBT單管、IGBT模塊、IPM模塊他們各自的區別：
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝。
2，IGBT模塊：模塊化封裝就是將多個IGBT集成封裝在一起。
3，PIM模塊：集成整流橋+制動單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）
4，IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅動及眾多保護功能（過熱保護，過壓，過流，欠壓保護等）的IGBT模塊

IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247 TO3P等封裝。
IGBT模塊：即模塊化封裝的IGBT晶元。常見的有1in1,2in1,6in1等。
PIM模塊：集成整流橋+制動單元+三相逆變
IPM模塊：即智能功率模塊，集成門級驅動及保護功能（熱保護，過流保護等）的IGBT模塊。