英飞凌电动汽车igbt

⑴ 富士、英飞凌IGBT哪个好

英飞凌IGBT命名规则 一 Simens/EUPEC IGBT 命名系统: Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！ BSM100GB120DN2K BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块

⑵ 英飞凌 igbt c e g分别指哪里

C是集电极，E是发射极，G是门极

http://wenku..com/link?url=Sz43OBi-16Ftog2L2torbePcNhfRBxUAQhB9--eD3a7Wh5SBf7waG2TuS

看一下这篇文章就全知道了

⑶ 英飞凌IGBT可以这样替换吗

不建议您换,要换的话 需要改的参数很多 都知道KS4系列的IGBT饱和压降(Vce)要3V多 KT4系列的1.5V左右,望采纳

⑷ 英飞凌IGBT模块选型

内部控制

⑸ 英飞凌哪一款IGBT驱动可以驱动英飞凌的600V/150A的IGBT模块

关于IGBT驱动，您可以用英飞凌的2ED300C17，不过这款驱动有两个缺点，一是没有做到即插即用的程度，二是相对来说这款驱动用来驱动您的600V/150A的IGBT模块有点大马拉小车的感觉。您也可以用落木源电子(LMY Electronics)的KA系列驱动器如KA101、KA201、KA301、K841L都可以，价格也比较合适。另外也可以用D系列驱动板，如DA962Dx系列，即插即用，价格也比较便宜，也就是同类产品的1/3到1/2。

补充回答：2ED300C17-S的输出电流30A不是可驱动的IGBT的电流参数，IGBT等效为一个电容，输出电流是给这个等效电容充电的最大电流。30A的输出电流，一般可以驱动至少1200A以上的IGBT。

⑹ 英飞凌IGBT芯片有哪些型号规格参数

英飞凌IGBT命名规则
一 Simens/EUPEC IGBT 命名系统:

Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！
BSM100GB120DN2K
BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
BYM--------------二极管模块
100-----------Tc=80°C时的额定电流
GA-------- 一单元模块
GB----------两单元模块(半桥模块)
GD----------六单元模块
GT----------三单元模块
GP----------七单元模块(功率集成模块)
GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)
GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)
120-------额定电压×10
DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降
BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPEC IGBT命名系统来命名.
FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块
FF--------------两单元模块(半桥模块)
FP--------------七单元模块(功率集成模块)
FD/DF------------斩波模块
F4---------------四单元模块
FS---------------六单元模块
DD---------------二极管模块
400-------------Tc=80°C时的额定电流
R------------逆导型
S-------------快速二极管
12-----------额定电压×100
KF---------高频型(主要在大模块上使用)
KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)
KS--------短拖尾高频型
KE--------低饱和压降
KT--------低饱和压降高频型

二 Simens/EUPEC SCR 命名系统:

T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管
D----------------------二极管
930-----------------平均电流
0-----------------标准陶瓷圆盘封装
1-----------------大功率圆盘
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光触发型
N-----------------相控器件
F---------------居中门极型快速晶闸管
S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管
18 ----------耐压×100
B--------引线型
C-----------------焊针型
E-----------------平板式
T-----------------圆盘式
M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)
C ----关断电压斜率（B、C、F等）
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------双晶闸管结构
DD----------------------双二极管结构
TD/DT------------------- 一个二极管＆一个晶闸管
430-------------------平均电流
N------------------相控器件
F-------------------居中门极型快速晶闸管
S-------------------阴极交错式快速晶闸管
22--------------耐压×100
K-----------模块
O---------关断时间
F -----断电压斜率

⑺ 比亚迪的IGBT真的很牛

就像华为的海思芯片，近两年，汽车行业内的IGBT逐渐为人所熟知。
新能源汽车的成本构成中，最大头当然是动力电池，第二高的就是IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）。作为与动力电池电芯齐名的“双芯”之一，占整车成本约5%左右的IGBT，正在变得越来越重要。
IGBT能有多重要？就在于，它能直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定电动车扭矩和最大输出功率等核心指标，可谓“牵一发而动全身”。
所以，近日总投资10亿元的比亚迪IGBT项目在长沙正式动工，无疑就非常令人瞩目。据悉，该项目设计年产25万片8英寸晶圆的生产线，投产后可满足年装50万辆新能源汽车的产能需求。
如今，比亚迪IGBT芯片晶圆的产能已经达到5万片/月，预计2021年可达到10万片/月，一年可供应120万辆新能源车，也就是相当于2019年新能源汽车销量的总数。
不过，我们关心的是，对于比亚迪来说，其IGBT技术达到了什么程度？在整个IGBT格局中，比亚迪处于一个什么位置？
打破垄断
作为一种功率半导体，IGBT应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业。此外，IGBT还是国家“02专项”的重点扶持项目，已经全面取代了传统的Power MOSFET，被称为电力电子行业里的“CPU”。
在新能源领域，IGBT的应用也非常重要。比如，在电动汽车的“三电”方面，TESLA的Model S使用的三相异步驱动电机，其中每一相的驱动控制需要使用28颗塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84颗IGBT芯片。算算总量，就可知需求的庞大。此外，充电桩的核心部件也要用到IGBT芯片。
但是，长期以来，被垄断在少数IDM（Integrated device manufacturer）手上，比如英飞凌Infineon、富士电机、三菱等外资企业。
数据显示，2019年期间，英飞凌为国内电动乘用车市场供应62.8万套IGBT模块，市占率达到58%。而比亚迪供应了19.4万套，市占率达到18%。可以说，如果没有比亚迪，中国车规级IGBT芯片市场国内企业一直被“卡脖子”的局面无法缓解。这是实情。
比亚迪打破国际巨头的垄断，是值得高兴的事。不过，值得注意的是，如果按照之前2019年比亚迪IGBT自供比率约在70%(或以上)的预测，也就是接近15万套来算，对外供应的量也就是4万多套，比亚迪还是相当保守的。
所以，4月14日比亚迪宣布通过整合公司半导体业务、成立独立的“比亚迪半导体有限公司”，就是想使IGBT业务量扩大，提升其商业前景。根据中金公司的预计，比亚迪半导体拆分上市后市值可达300亿元，无疑也只有外供IGBT才能带来如此效益。
按照2018年的相关统计，在一辆纯电动汽车中，IGBT约占驱动电机系统成本的一半，而驱动电机系统占整车成本的15~20%，也就是说IGBT占整车成本的7~10%。而据中信证券报告显示，IGBT目前在插电混动车型上约占2500~3500元成本，A级以上纯电动车IGBT单车成本在2000~4000元，豪华车相对高一点，在5000元以上。
而且，中信证券认为，全球电动车高增长（尤其是A级以上车型）将带动IGBT需求放量，2020年行业空间约97亿元，预计2025年有望达到370亿元，年复合增长率超过30%。所以说，如果比亚迪IGBT销量扩大，收益当然可观。
据悉，比亚迪下一步的规划是让IGBT的外供比例争取超过50%。而之前比亚迪的孤单，显示出关键零部件领域自主品牌的技术弱势,现在局面有所缓解。不过，如果我们从国际IGBT技术发展趋势来看，比亚迪还得加快步伐。
竞争的格局
之前，比亚迪已经在秦、唐等多个车型中采用自主研发的IGBT，但直到2018年9月，才第一次对外宣布。从专利数量来说，截至2018年11月，比亚迪在该领域累计申请IGBT相关专利175件，其中授权专利114件。
截至目前，比亚迪车用IGBT装车量已累计超过60万只。如果我们光看比亚迪的报道，自豪感会油然而生。但是，放眼望去，比亚迪面对的都是强手。
从IGBT的应用电压来看，汽车主要是600V到1200V之间，这个区间里英飞凌Infineon具有压倒性优势，安森美虽然在600V-1200V领域也有市场，但主要是非车载领域。而三菱和富士电机瓜分了日本市场，丰田混动所用的IGBT全部内部完成，有自己完整的IGBT生产供应链。
江山代有才人出，除了这几家巨头，根据IHS Markit的最新报告，一家2018年度IGBT模块全球市场份额占有率排名第8位、唯一进入世界排名TOP10的中国企业——斯达半导（603290），也已成为比亚迪的劲敌。
根据上市刚刚两个月的斯达半导的年报，其去年生产的车规级 IGBT 模块已经配套了超过 20 家车企，合计配套超过16万辆新能源汽车（而根据NE时代的统计，2019年斯达供应了17,129套IGBT模块，市占率1.6%。）如果加上在工业控制及电源行业、变频白色家电及其他行业的应用，斯达半导的IGBT营收已经超过了比亚迪半导体。
不仅如此，就IGBT技术实力来看，比亚迪发展到了IGBT 4.0（相当于国际第五代），而斯达半导已经发展到了第六代，该公司基于第六代Trench Field Stop技术的650V/750V IGBT 芯片及配套的快恢复二极管芯片，已在新能源汽车行业实现应用。
从全球看，IGBT目前已经发展到7.5代，第7代由三菱电机在2012年推出，三菱电机目前的水平可以看作7.5代，而比亚迪2018年12月12日才发布IGBT 4.0技术（也就是国际上第五代技术），所以说，目前的差距还是很大的。
差距有多大？
不过，IGBT技术目前接近封顶也是公认的。当今科技日新月异，IGBT的战场之外，下一代争夺将在SiC（碳化硅）技术上。丰田汽车就表示过:“SiC具有与汽油发动机同等的重要性。”
其实，碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了。作为第三代半导体材料，发展潜力巨大。而且，SiC技术已经在日本全面普及，无论三菱这样的大厂还是富士电机、Rohm这样的小厂，都有能力轻松制造出SiC元件。
鉴于SiC的重要性,丰田的策略是完全自主生产。实际上，丰田从上世纪80年代就开始了SiC的研究,领先全球30年。到2014年，丰田已经能试产关键的SiC基板。
?
这里说句题外话，SiC基板是关键，而落后日本企业很多的英飞凌，2016年7月决定收购的美国CREE集团旗下电源和RF部门(“Wolfspeed”),核心就是SiC基板技术。不过，最终被美国的外国投资委员会（CFIUS）以关系到国家安全的原因否了。
目前，比亚迪也已研发出SiC MOSFET。预计到2023年，比亚迪将采用SiC基半导体全面替代硅基半导体，这样的话，整车性能在现有基础上可以再提升10%。除了驱动效率提高，SiC MOSFET体积可以减少70~80%，这也是业内公认的，SiC是新能源车提高效率最有效的技术。
当然，光芯片提升还不行，整合材料（高纯碳化硅粉）、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链也要跟进，才能进一步降低SiC器件的制造成本，加快其在电动车领域的应用。
所以，从技术上来说，比亚迪要追赶的路还很长。而且相对于斯达半导的全球化业务，比亚迪IGBT的国外业务还有待展开。不过相比较而言，比亚迪在国内自主品牌中还是取得了一定的优势，就像华为手握芯片终极武器一样。面对汽车行业百年未有之变局，技术驱动将重新构建行业格局，无疑是没错的。
文/王小西
---------------------------------------------------------------------------
【微信搜索“汽车公社”、“一句话点评”关注微信公众号，或登录《每日汽车》新闻网了解更多行业资讯。】
本文来源于汽车之家车家号作者，不代表汽车之家的观点立场。

⑻ 第1个图片的IGBT是什么牌子的第2个英飞凌的IGBT参数是多少两个IGBT对比如何

DC (达新电子) 650V/50A/IGBT管 网址：http://www.daxin-semi.com 我们公司用的是安富利的(ON)

⑼ 安森美的IGBT和英飞凌的有什么区别哪个性能更好igbt分立元件和模块又有什么不同

英飞凌的汽车电子目前是世界第一。在国内主要是功率器件，IGBT市场占有率高。另外在工业方面，英飞凌也是全球第一。建议还是从所需电路的细节参数入手选择更合适的，而不要仅从品牌选择。

模块的3个基本特征：
·多个芯片以绝缘方式组装到金属基板上；
·空心塑壳封装，与空气的隔绝材料是高压硅脂或者硅脂，以及其他可能的软性绝缘材料；
·同一个制造商、同一技术系列的产品，IGBT模块的技术特性与同等规格的IGBT 单管基本相同。
模块的主要优势有以下几个。
·多个IGBT芯片并联，IGBT的电流规格更大。
·多个IGBT芯片按照特定的电路形式组合，如半桥、全桥等，可以减少外部电路连接的复杂性。
·多个IGBT芯片处于同一个金属基板上，等于是在独立的散热器与IGBT芯片之间增加了一块均热板，工作更可靠。
·一个模块内的多个IGBT芯片经过了模块制造商的筛选，其参数一致性比市售分立元件要好。
·模块中多个IGBT芯片之间的连接与多个分立形式的单管进行外部连接相比，电路布局更好，引线电感更小。
·模块的外部引线端子更适合高压和大电流连接。同一制造商的同系列产品，模块的最高电压等级一般会比IGBT 单管高1-2个等级，如果单管产品的最高电压规格为1700V，则模块有2500V、3300V 乃至更高电压规格的产品。
IGBT的核心技术是单管而不是模块，模块其实更像组装品一管芯的组合与组装。换言之，IGBT 单管才是IGBT 制造商的核心技术。
IGBT单管、IGBT模块、IPM模块他们各自的区别：
1，IGBT单管：IGBT，封装较模块小，电流通常在100A以下，常见有TO247 等封装。
2，IGBT模块：模块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起。
3，PIM模块：集成整流桥+制动单元（PFC）+三相逆变（IGBT桥）
4，IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及众多保护功能（过热保护，过压，过流，欠压保护等）的IGBT模块

IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247 TO3P等封装。
IGBT模块：即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。
PIM模块：集成整流桥+制动单元+三相逆变
IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。