igbt电动汽车测试

1. IGBT动态测试是不是都是双脉冲测试法啊单脉冲的有无双脉冲有何优势啊

IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv十t(f) 式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。 IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。 正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。

2. 国内哪个公司有测试IGBT动态参数的专业设备仪器

IGBT在国内的应用是越来越广泛了，电动车行业、新能源汽车行业、充电桩行业等，都会用到IGBT。目前深圳威宇佳的IGBT动态参数设备测试设备已经很成熟了，他们公司开发的IGBT动态测试设备（1500V/2000A)为国内首创，打破国外垄断，已在市场上应用超过10年，并已在国内多家大型IGBT功率半导体模块厂家批量应用。

3. 懂IGBT测试的大哥教教小弟

可能是门集电压或开关频率使用得不恰当吧，一般不会很多坏的。
可以用买个TI公司的接口盒装在电脑，然后用labview做仿真测试

4. 大功率IGBT测试仪国产的有哪些哪那个厂家可以做8000V的IGBT模块的开关特性测试，短路测试，反向恢复

IGBT在国内来说，开始越来越多的应用，在电网，电动车，新能源汽车，家电行业，充电桩等行业应用越来越广泛，目前IGBT测试仪，国内HUSTEC，华科智源等，很成熟了。电动车目前用的可能到3300V,1000A左右了，对于IGBT模块，几单元封装的，都没有问题，当然，主回路电感和杂散电感随着功率增加，会有相应的增大，如果涉及到1200V,200A左右的，可能能 做到65ns一下。IGBT动态参数仪，一般能测量开关时间，反向恢复时间，短路特性，栅电荷，这些参数。对于雪崩能量，一般需要一台单独设备进行测试。 IGBT在国内来说，开始越来越多的应用，在电网，电动车，新能源汽车，家电行业，充电桩等行业应用越来越广泛，目前IGBT测试仪，国内HUSTEC，华科智源等，很成熟了。电动车目前用的可能到3300V,1000A左右了，对于IGBT模块，几单元封装的，都没有问题，当然，主回路电感和杂散电感随着功率增加，会有相应的增大，如果涉及到1200V,200A左右的，可能能 做到65ns一下。IGBT动态参数仪，一般能测量开关时间，反向恢复时间，短路特性，栅电荷，这些参数。对于雪崩能量，一般需要一台单独设备进行测试。

5. 如何检测IGBT的好坏

IGBT管好坏的检测

IGBT管的好坏可用指针万用表的Rx1k挡来检测，或用数字万用表的“”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管，上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e、c极间正向压降约为0.5V。

综上所述,内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。

如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中IGBT管多为击穿损坏。

提示：正常的IGBT管，G、e两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、c极间均有4kΩ正向电阻。

IGBT管放大能力的初略判断

在检测IGBT管的放大能力之前，应先将IGBT管三个引脚短路放电；然后将指针万用表置于Rx1k挡，用红表笔接IGBT管e极，黑表笔接管子c极，此时万用表指针不偏转，即阻值为无穷大；接着用黑表笔碰触一下G极后，再将黑表笔接管子c极，测c、e极间电阻，这时万用表指针偏转，即c、e极问电阻值由无穷大减小到某一值。上述现象说明IGBT管具有一定的放大能力，所测得的阻值越小，IGBT竹的放大能力越强。

提示：由于IGBT管G极内部电路具有电容特性，能够储存一定量的电荷，因此每次检测IGBT管时，都应先短路三极，以防引起误判。

值得注意的是，部分IGBT管，如K25T120、GT40T101等，按上述方法用指针万用表Rx1k挡所测阻值均为无穷大，因此不能判断管子的放大能力。这时换用Rx10k挡检测判断即可。例如K25T120型IGBT管，使用MF500型万用表R×10k挡，红表笔接e极，黑表笔接c极时，阻值为无穷大；若这时用手指同时接触一下黑表笔与G极，阻值立即降至110kΩ；若用黑表笔触一下G极，再次测得c、e极间正向电阻已降为16kΩ左右。

综上所述，IGBT管放大能力的初略判断方法类似于三极管放大倍数的判断，其判断示意图如图所示。

另外通过上述方法可以快速判断出特殊外形的IGBT管的c、e极，剩下一脚便为G极。

6. 请问IGBT模块好坏检测的方法

检测IGBT模块的好坏的方法：

1、判断极性首先将万用表拨在 R×1K 。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。

在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。

2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发射极 ( E ) ，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。

然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。

3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管 ( P 一 MOSFET ）的好坏。

(6)igbt电动汽车测试扩展阅读：

IGBT模块注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：

1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;

2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;

3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。

在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。

保存注意事项：

1. 一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿。

2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合。

3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方。

4. 保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物。

5. 装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。

7. 威宇佳IGBT全动态参数测试设备可测量哪些参数

威宇佳是国内首家电动汽车用IGBT动态测试设备制造商，他们的IGBT全动态参数测试设备，可测试IGBT、SiC等开通、关断、短路、栅极电荷以及二极管反向恢复各项动态参数。他们的测试夹具采用压接方式，连接电感小，即插即用，更换夹具便捷，可兼容多种封装的模块及DBC。基于多年的电力电子装置和功率半导体开发及应用经验，威宇佳的测试夹具具备业内更低的杂散电感，并且更换夹具速度极快，仅需不到20s。

8. IGBT测试仪器有哪些

轨道交交通目前用的可能到3300V,1000A左右了，新能源汽车 1700V,800A,对于IGBT模块，几单元封装的，都没有问题。IGBT测试仪，国内HUSTEC，华科智源等，特别是大功率IGBT模块来讲，很成熟了。甚至可以实现在线检测的，不需要进行拆卸后单独测试模块了。

9. IGBT动态参数测试仪哪家有最高功率能到多少华科智源IGBT动态参数测试仪能测量哪些参数呢

IGBT在国内来说，开始越来越多的应用，在电网，电动车，新能源汽车，家电行业，充电桩等行业应用越来越广泛，目前IGBT测试仪，国内HUSTEC，华科智源等，进口的有美国ITC，德国LEMSYS,都很成熟了。电动车目前用的可能到3300V,1000A左右了，对于IGBT模块，几单元封装的，都没有问题，当然，主回路电感和杂散电感随着功率增加，会有相应的增大，如果涉及到1200V,200A左右的，可能能 做到65ns一下。IGBT动态参数仪，一般能测量开关时间，反向恢复时间，短路特性，栅电荷，这些参数。对于雪崩能量，一般需要一台单独设备进行测试。